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蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之汽化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發(fā)源：電阻式蒸發(fā)源簡單、經(jīng)濟、可靠，可以做成不同的容量、形狀并具有不同的電特性。電子槍加熱蒸發(fā)源：有時很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發(fā)，例如常用于可見光和近紅外光學
電阻加熱蒸發(fā)源優(yōu)點：1.結構簡單、使用方便、造價低廉，因此使用普遍；2.可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物。要求：1.蒸發(fā)源材料的自身熔點要高；2.飽和蒸汽壓要低；3.化學性能要穩(wěn)定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時，功率密度變化較小；4.蒸發(fā)源對膜材料
蒸發(fā)鍍膜涉及到的相變固-氣相變：即升華。在這一過程中，源材料從固態(tài)直接轉變?yōu)闅鈶B(tài)，而不經(jīng)歷液態(tài)。這需要足夠的能量的才能發(fā)生的，一般用加熱的方式可以實現(xiàn)。氣-固相變：即冷凝，升華的逆過程。當蒸發(fā)出的氣態(tài)物質遇到冷卻的襯底時，它們會凝結在其上，形成固態(tài)的薄膜。這是一個從氣態(tài)到固態(tài)的相變過程。什么是蒸汽壓
蒸發(fā)鍍膜是一種常用的薄膜制備技術，使用蒸發(fā)源將材料加熱至蒸發(fā)溫度，然后通過蒸發(fā)的材料沉積在基材表面形成薄膜。以下是幾種常見的蒸發(fā)源類型：電子束蒸發(fā)源：利用電子束將材料加熱至蒸發(fā)溫度，然后蒸發(fā)在基材上。電子束蒸發(fā)源具有高溫度和高速度的優(yōu)勢，適用于多種材料的蒸發(fā)。熱阻蒸發(fā)源：通過通電使蒸發(fā)源中的阻焊絲加
MBE技術是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長外延薄層的技術。現(xiàn)代MBE生長系統(tǒng)的背景真空度可達 1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發(fā)生碰撞。MBE技術的關鍵III,V族元素分別加熱到溫度Ti,Tj形成的束 引入到溫度為Ts的襯底上生長薄膜，
反射式高能電子衍射(簡稱rheed)將能量為10～50keV的單能電子掠射 (1°～3°)到晶體表面，其反射束帶有晶體表面信息，并呈現(xiàn)于熒光屏。當入射電子束與晶面簇的夾角θ、晶面間距和電子束波長λ三者之間滿足布喇格公式時，則沿此晶面簇對入射束的反射方向有衍射束產(chǎn)生，從而得到表面結構的全部信息。反射式
9月7日下午，常州市市長盛蕾、市委秘書長周承濤、市金融、市工信局一行來我司調研，董事長董國材、技術主管張祥陪同調研。市長一行參觀了公司的生產(chǎn)車間以及部分成品設備，董國材博士向市長介紹了公司的創(chuàng)業(yè)歷程、發(fā)展概況以及產(chǎn)品在行業(yè)內的應用情況。市長對公司近年來取得的成績表示肯定，重點詢問了公司首臺套設備“分
在選擇坩堝形狀時，個原則是和諧k-cell的加熱絲的形狀匹配，滿足這個前提之后再來考慮其他的方面。這是因為如果形狀不匹配，加熱就會不均勻，一方面測溫不準會影響實驗可重復性，另一方面坩堝各個部分熱膨脹不均勻可能會導致?lián)p壞。接下來再考慮其他方面的問題。原教旨的k-cell想象一個封閉的盒子個封閉的盒子，
11月12日，江蘇省人民發(fā)布《省關于表彰2021年度江蘇留學回國先進個人的決定》（蘇政發(fā)【2021】73號），授予我司董國材博士“江蘇留學回國先進個人”榮譽稱號，表彰其作為留學人員代表為我省科技進步和經(jīng)濟社會發(fā)展作出的重要貢獻。董國材，重大人才工程A類專家、國成儀器（常州）有限公司董事長、江南石墨烯
為加強公司企業(yè)文化建設、豐富員工業(yè)余文化生活、增進同事間的友誼、開拓視野、陶冶情操。公司于5月20日組織全體員工赴湖南張家界旅游。 5月20日：常州--張家界 當日中午吃完午飯后，正當準備午休時，收到了航班取消的消息針對這種情
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國成儀器（常州）有限公司目前成熟并應用于市場的產(chǎn)品有：MBE、蒸發(fā)源、rheed
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